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    單晶材料生成和分割

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    單晶材料生成和分割

    發布日期:2020-12-31 00:00 來源:http://www.drharryburke.com 點擊:

       我們發展了一種僅需已知晶體某一晶面, 即能定向切割出所需任意晶面( 或晶向) 的方法, 定向切割操作快速、準確、簡捷. 在實際工作中, 已知晶體的某一晶面是普遍存在的事實, 例如提拉法、水溶液法、水熱法和熔鹽法生長的晶體, 至少已知某一晶面. 無籽晶的焰熔法和 Bridgman 等法生長的晶體一般雖無方向特征, 但因解理性是晶體的基本屬性, 很容易從晶體上得到易解理面. 焰熔法生長的紅寶石極易得到其解理面( 1102) 或( 1120) , 用 Brigdman 方法生長的AgGaSe2 晶體極易得到( 101) 或( 112) 解理面. 因而, 此法在實際工作中具有很強的實用性和推廣價值。

      硅是地球上儲藏豐富的材料之一,從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用多的一種半導體材料,集成電路半導體器件大多數是用硅材料制造的。

      熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質,有較弱的導電性,其電導率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其導電的程度,而形成p型硅半導體;如摻入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高導電程度,形成n型硅半導體。


    單晶材料的制備方法

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