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    半導體單晶定向光學法的使用

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    半導體單晶定向光學法的使用

    發布日期:2020-06-12 00:00 來源:http://www.drharryburke.com 點擊:

    目前,半導體的單晶定向研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的法向生長速度,腐蝕速度。雜質的擴散速度,氧化速度,以及晶面的解理特性等等,都由于晶體的取向不同而不同。

    況且在科研和生產中,由于我們制造的器件使用目的不同。往往也要求我們所用基片的半導體單晶材料的晶向不同。所以我們需首先對晶軸進行定向。

    單晶定向哪家好

    測定晶體取向有解理法,X 射線勞埃法,X 射線衍射法和光學反射圖象法等多種方法。其中光學反射圖象法是目前生產中廣泛使用的方法。這個方法較為簡便,能直接進行觀測,而且在測定低指數晶面時精確度相當好。從晶體外形確定晶向,由于硅、鍺的金剛石結構以及 GaAs 的閃鋅礦結構的特點,晶體在沿某一晶向生長時,單晶的外表將規律的分布著生長棱線。沿方向生長的硅單晶錠有六個或三個對稱分布的棱線。沿方向生長的硅單晶錠有四個對稱分布的棱線。方向生長的硅單晶錠則有四個不對稱分布的棱線。

    晶體表面的這些棱線都是由于晶體生長過程中,生長Z慢的晶面族中各晶面在交界處形成的。這是由于晶面是金剛石晶體的密排面,晶體表面有取原子密排面的趨勢。也就是說,在晶體生長過程中不同晶面的生長速率不同。


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