好品質 
好材料 
好服務
好品質 好材料 好服務
丹東新東方晶體儀器有限公司
聯系人：張經理
電 話：0415-6172363 13304155299
傳 真：0415-6181014
郵 箱：xdf@ddxdf.com
網 址：www.drharryburke.com
地 址：遼寧丹東環保產業園區A-050號
郵 編：118000
SiC是Z早發現的半導體材料之一，自1824年瑞典科學家Berzelius在人工合成金剛石的過程中觀察到SiC多晶相以來，SiC 單晶的發展經歷了一個漫長而曲折的過程。1893年，Acheson將石英砂、焦炭、少量木屑以及NaCl的混合物放在電弧爐中加熱到2700℃，Z終獲得了SiC鱗片狀單晶，這種方法主要用于制作SiC磨料，無法滿足半導體要求。直到1955年，Lely首先在實驗室用升華法成功制備出了SiC單晶，他將SiC 粉料放在石墨坩堝和多孔石墨管之間, 通入惰性氣體(通常用氬氣)，在壓力為1atm 條件下，加熱至約2500℃的高溫，SiC 粉料升華分解為Si， SiC2和Si2C等氣相組分，在生長體系中溫度梯度產生的驅動力下，氣相組分在溫度較低的多孔石墨管內壁上自發成核生成片狀SiC 晶體，這種方法奠定了毫米級SiC單晶生長的工藝基礎，此后，有關SiC的研究工作全面展開。1978年，Tairov和Tsvetkov成功的把Lely法與籽晶、溫度梯度等其它晶體生長技術研究中經?？紤]的因素巧妙地結合在一起，創造出改良的SiC晶體生長技術，PVT法是目前商品化SiC單晶材料生長系統的主要方法。
進入90年代之后，Cree公司占據了全球半導體SiC材料的位置，該公司專門開展SiC晶體生長和SiC晶片的商業化生產，加快了SiC材料的實用化步伐。1993年生長出直徑為50.8mm的6H-SiC晶片，近年來，Cree公司先后宣布在4inch和6inch SiC晶體生長和晶片加工技術上取得了重大突破，其中直徑為101.6mm的晶片已批量生產并商品化。德國的SiCrystal 公司是歐洲的SiC供應商，Z大尺寸可提供4inch SiC襯底片，日本新日鐵公司2009年開始提供2~4英寸SiC襯底片。我國SiC產業起步較晚，經過不懈努力，目前已掌握了SiC晶體生長的關鍵技術，并實現了2-4英寸SiC襯底的批量生產。
