化學腐蝕法影響單晶材料晶體完整性的因素

從實驗可知，用熔融KOH進行化學腐蝕比用NaOH腐蝕效果好，得到的腐蝕圖像清晰、準確。且Z佳條件為熔融KOH在290℃腐蝕15min。同時對比實驗發現國內外樣片在晶體完整性方面差異不大。

影響晶體完整性的因素是很多的。一般說來，單晶材料晶體生長速率是各向異性的。

通常所說的單晶材料晶體生長速率指的是在單位時間晶面沿法線方向向外平行推移的距離，稱為線性生長速率。晶體生長的驅動力來源于生長環境相的過飽和度或過冷度。人工生長單晶時，在保證晶體生長質量的前提下，總希望提高生長速率。由于微觀生長速率的變化，往往導致晶體缺陷的產生。

為保證CZ法能穩定地生長晶體，熱場設計必須要具有適當的縱向和徑向溫度梯度和適當的坩堝與晶體直徑比例，即保證適當的過冷度條件。只要存在徑向溫度梯度和縱向溫度梯度，熔體內就會出現熱運動，造成固液界面處晶體存在著熱應力，超過晶體材料的臨界應力，在晶體中就會產生位錯。

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