單晶材料制備常溫溶液法的優缺點

從溶液中生長晶體的歷史悠久，應用也很廣泛。這種方法的基本原理是將原料(溶質)溶解在溶劑中，采取適當的措施造成溶液的過飽和狀態，使晶體在其中生長。

溶液法具有以下優點：

單晶材料

1.晶體可在遠低于其熔點的溫度下生長。有許多晶體不到熔點就分解或發生不希望有的晶型轉變，有的在熔化時有很高的蒸汽壓，溶液使這些晶體可以在較低的溫度下生長，從而避免了上述問題。此外，在低溫下使晶體生長的熱源和生長容器也較容易選擇。

2.降低粘度。有些晶體在熔化狀態時粘度很大，冷卻時不能形成晶體而成為玻璃體，溶液法采用低粘度的溶劑則可避免這一問題。

3.容易長成大塊的、均勻性良好的晶體，并且有較完整的外形。

4.在多數情況下，可直接觀察晶體生長過程，便于對晶體生長動力學的研究。

溶液法的缺點是組分多，影響晶體生長因素比較復雜，生長速度慢，周期長(一般需要數十天乃至一年以上)。另外，溶液法生長晶體對控溫精度要求較高。

溶液法晶體生長的必要條件：溶液的濃度大于該溫度下的平衡濃度即過飽和度。驅動力為過飽和度。

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