• <table id="usyiw"></table>
  • <u id="usyiw"></u>
    <blockquote id="usyiw"><nav id="usyiw"></nav></blockquote>
  • 歡迎訪問丹東新東方晶體儀器有限公司官網!

    熱門搜索:藍寶石晶體定向單晶定向單晶材料

    icon1.png好品質            icon2.png好材料            icon3.png好服務

    新聞分類

    產品分類

    聯系我們

    丹東新東方晶體儀器有限公司

    聯系人:張經理

    電 話:0415-6172363   13304155299

    傳 真:0415-6181014

    郵 箱:xdf@ddxdf.com

    網 址:www.drharryburke.com

    地 址:遼寧丹東環保產業園區A-050號

    郵 編:118000

    半導體碳化硅單晶材料的發展

    您的當前位置: 首 頁 >> 新聞中心 >> 公司新聞

    半導體碳化硅單晶材料的發展

    發布日期:2016-11-29 00:00 來源:http://www.drharryburke.com 點擊:

          單晶材料以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、熱導率高(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、電子飽和遷移速率高(~Si的2.5倍)和擊穿電場高(~Si的10倍或GaAs的5倍)等性質[1-2],如表1所示。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等環境應用領域有著不可替代的優勢[3-7],彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷,正逐漸成為功率半導體的主流。


            按相同的方式一個Si原子也被四個碳原子的四面體包圍,屬于密堆積結構。單晶材料的晶格常數a可以看作常數,而晶格常數c不同,并由此構成了數目很多的SiC同質多型體。若把這些多型體看作是由六方密堆積的Si層組成,緊靠著Si原子有一層碳原子存在,在密排面上單晶材料雙原子層有三種不同的堆垛位置,稱為A、B和C。由于單晶材料雙原子層的堆垛順序不同,就會形成不同結構的SiC晶體。



    單晶材料

    相關標簽:單晶材料

    Z近瀏覽:

    熱推產品  |  主營區域: 北京 上海 廣州 深圳 天津 重慶 南京 沈陽 丹東
    在線客服
    分享